フォトレジスタは半導体材料で作られており、内部光電効果を介して光電気変換の芸術を習得します。Photoresistorの機能は、基本的に光伝導効果に由来し、その抵抗は光の照射下で大幅に減少します。主に硫化金属、セレン化物、テルライドは、フォトレジスタ構造の主な材料として使用されています。これらの半導体は、変換、コーティング、スプレー、または焼結して、断熱基質上のコンツ型オーム電極の隣に光感受性層を形成します。その後、全体が密閉された光翻訳ミラーハウジングにカプセル化され、さまざまな環境での運用上の安定性と感度を確保します。
暗闇では、フォトレジスタの抵抗が急上昇します。ただし、光にさらされると、半導体材料が光子励起で活性になり、抵抗が低下します。この抵抗の変化は、光とともに増加します。たとえば、Photoresistorに電圧を適用すると、光強度の変化を電気信号の変化に直接変換する状況を考えてください。その非極性の性質はさらに魅力を高め、AC電流とDC電流の両方でシームレスに動作することができます。
フォトレジスタの主要なパフォーマンス指標には、暗い抵抗、光抵抗、電圧 - アメア特性、光電反応、スペクトル応答、周波数の挙動、温度の弾力性が含まれます。暗い抵抗と光抵抗は、感度のテストメーターとして機能します。より高い暗い抵抗と低い光抵抗の組み合わせは、優れた感度をもたらします。特定の照明の下でのボルトアンペア関係は、安定したフォトレジスタパフォーマンスの基礎を提供します。同時に、異なる光強度と波長に対するフォトレジスタの反応、ならびに異なる光周波数と温度変動に基づくパフォーマンスは、特定の用途に適したフォトレジスタを選択するための正しい決定を提供します。
硫化カドミウムフォトレジスタは、目に見える光に対する人間の目の感受性を模倣するスペクトル応答のために高く評価されており、光制御回路の理想的な候補になります。ただし、その非線形応答曲線は、精密光電気変換タスクに制限を課します。Photoresistorsは、単純な光制御スイッチから複雑な自動制御システムにまで及びます。フォトレジスタに対する光源の位置と強度を操作することにより、汎用性の高い回路設計が現れます。